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SK하이닉스, 美 인디애나 HBM 생산거점 기공
9현지시간) 27일, 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에서 SK하이닉스 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지 기공식이 열리고 있다./SK하이닉스 제공
[투데이에너지 장재진 기자] SK하이닉스가 현지시간 27일 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산기지를 신설하기 위한 기공식을 개최하며 한·미 간 AI 반도체 생태계 강화에 본격적으로 나섰다.
SK하이닉스에 따르면, 이번 프로젝트는 40억 달러 이상의 투자가 예정돼 있으며, 2029년 하반기 ‘Made in USA’ HBM 제품의 미국 내 양산을 목표로 하고 있다.
인디애나 팹은 한국에서 생산된 최첨단 웨이퍼를 현지로 이송해 어드밴스드 패키징과 테스트를 거쳐 최종 제품을 공급하는 방식으로 운영될 예정이다.
회사 측은 2028년 10월 클린룸 완공을 시작으로 2029년 하반기 양산 전환을 추진하며, 초기에 약 1000여 명의 현지 핵심 인력을 중심으로 생산체계를 가동할 계획이라고 밝혔다.
이번 기공식에는 인디애나 주지사와 연방 상·하원 관계자, 퍼듀대학교 총장을 비롯한 지역 주요 인사와 SK그룹 경영진이 참석해 프로젝트의 정치·산업적 의미를 부각시켰다.
현지 정치권은 이 투자가 지역 일자리 창출과 첨단 산업 유치에 기여할 것이라고 평가했고, SK하이닉스는 100여 개 이상의 소재·부품·장비 협력사 유치를 통해 현지 생태계와의 상생을 도모하겠다고 밝혔다.
미국 인디애나주 웨스트 라피엣에서 열린 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지 기공식에서 주요 참석자들이 기념촬영을 하고 있다. (왼쪽 일곱 번째부터 미치 대니얼스 퍼듀대학교 총장, 곽노정 SK하이닉스 CEO, 마이크 브런 인디애나 주지사 /SK하이닉스 제공
SK하이닉스는 퍼듀대학교와 어드밴스드 패키징 분야의 연구개발 협력을 위한 MOU를 체결했다. 양측은 차세대 패키지 기술 공동연구와 시제품 검증을 위한 R&D 테스트베드를 인디애나 팹 내에 조성해 산학협력의 시너지를 높일 계획이다. 이를 통해 기술 고도화와 현지 인재 양성에도 속도를 낸다는 방침이다.
또한 SK하이닉스는 팹 건설 및 운영을 통해 직·간접적으로 약 7000개의 일자리를 창출할 것으로 전망하며, 지역사회와의 연계를 강화하기 위해 주한미군 전역 장병 채용 등 특화된 인력유입 프로그램도 운영할 예정이다. 회사 측은 이러한 고용 창출과 인재 교류가 한·미 동맹과 경제협력의 굳건한 기반이 될 것이라고 설명했다.
사업적·안보적 측면에서도 이번 투자는 의미가 크다. ADR 상장 이후 실질 투자로 이어진 인디애나 팹은 미국 내 반도체 공급망 안정화에 기여하고, 국가 안보 및 경제적 자립성 강화에 보탬이 될 것으로 기대된다.
SK하이닉스 곽노정 CEO는 “미국은 최고의 고객·R&D·생태계가 모인 곳으로, 인디애나 팹을 통해 미국 AI의 새로운 미래를 함께 만들겠다”고 말했다.
한편, 이번 프로젝트는 글로벌 반도체 공급망 재편 속에서 해외 생산 거점과 원활한 협업 체계를 구축하는 사례로 평가된다.
한국 본사와 미국 팹 간의 긴밀한 생산·R&D 연계를 통해 기술 이전과 현지화가 동시에 추진되는 만큼, 향후 한·미 간 반도체 산업 협력의 전형으로 자리잡을 가능성이 크다.